Калькулятор диода
Pонимание характеристик диода
1. Кратные характеристики передавления
Характеристика передачи диода determines ее поведение при проводимом токе. Отношение переднего напряжения и тока следует экспонентальному кривому, описываемой уравнением Сокхли для диода: I = Ise^Vd/nVt - 1, где:
- Обратная тарельня_CURRENT
- Передовой токовой опирь
- н: Фактор идеальности 1-2
- Температурная伏schтить приблизительно 26 мВ при комнатной температуре.
2. Общие расчеты
Общая информация по часто используемым расчетам диода:
| Параметры | Формула | Пример |
|---|---|---|
| Ток через диод | И = Вс - Вф/Р | 5В nguồn alimentации, 0,7В разница потенциала, 100Ω = 43мА |
| Противовольтовая Resistansi dioda | р = ΔВ/ΔИ | Динамическая сопротивление при рабочем точке |
| Сильное выделяемое излучение | П = Вх × Iм | 0,7В × 1А = 0,7Вт |
3. Утраты энергии в результате тепловыделения.
Мощность разрушения в диоде является критическим параметром, который влияет на надежность устройства и требования по термостабилизации.
П = Вр × Иф
Энергия dissipation Вт
Вр: Физическая разность потенциалов В
Если: Предположенный ток передачи электрической энергии А
Температура воздействия
Температура существенно влияет на поведение диода, воздействуя как на прямое напряжение, так и на обратную зарядящую коррентность. Ключевые Temperaturbeziehungen включают:
- Напряжение передачи сдвигается вниз со скоростью -2 мВ/°С. .
- Повторный ток удваивается для каждых 10°C увеличения.
- Температурный режим воздействует на надежность устройства.
- Термический сопротивление определяет повышение температуры.
Характеристика передачи
Для высокочастотных приложений, характеристика переключения становится критичной:
- Обратный Recovery Время trr
- Переходное время передачи сигнала твр
- Съединительные capacitancy Cj
- В存анной заряде Qs
6. Понимание приложений
When designing with diodes, several factors require consideration:
- Пиковая обратнаяvolтовая характеристика PIV
- Средняя и максимальная нормыcurrentа
- Операционный диапазон температур
- Термодинамическая стойкость партиции
- Фrequenciaльная допустимость требований
- Понимание упущения напряжения
«7. Руководства по проектированию»
Следуйте этим рекомендациям для достоверного диода циркусdesign:
- Включайте уменьшение напряжения обычно до 70–80%
- Представить Temperature derating для currents.
- Учет вольтажных_transient
- Принадлежит надлежащая термостойкость
- Наблюдательное соединение термодинамики
- Проверьте требование к обратному освобождению
«8. Применение ЗENER диода»
Понимание вычислений и применений диода ЗENERа:
| Параметры | Формула | Примечания |
|---|---|---|
| Зенерный ток | Из = Вин - Взс/Рс | Требуемое значение |
9. Расчеты напряжения диода
Как рассчитать напряжение через диод:
Перемещение потенциала вперед
- Силиконовые диоды: обычно 0,6-0,7 В
- Шоттки-дiodы: 0,2-0,4В
- ВолтAGES разрыва для LEDs: 1,8-3,3 В зависимы от цвета
- Температурная коэффициент: -2 мВ/°С
Возвратное напряжение
- Максимальная норма тока разрыва
- Уменьшение Characteristics for reliability
- Перевозчик электронных компонентов и проектов цифровых схем
- Температурные влияния
Синхronный analysed dioda.
Понимание тока через диоды:
Напряжение передачи
- Учитываем максимальные характеристики
- Температурная деградация
- П्रभеи цикла службы
- Требования к охлаждению
Обратная ток
- Напряжение утечки
- Температурная зависимость
- П्रभии разложения
- Видимость последствий надежности
«11. Расчет фактора идеальности»
Как рассчитать идейность диода с использованием графика и измерений:
| Метод | Формула | Обычные значения |
|---|---|---|
| Из характеристик диода по характеристике тока и напряжения | н = кв/пikТ × ΔВ/ΔлогрИ | 1.0-2.0 - 1,0-2,0 |
| Двухтактный метод | Н = В2 - В1 / ВТ × lnI2 / I1 | СилICON: ~1,0 |
Динамическая Resistivnostь
Оценивание динамической сопротивления диода с использованием графика и точки рабочего положения.
Определение и Измерение:
- Малосигноточный сопротивление при рабочем точке
- Пограничная высота V-I кривой в рабочем точке
- Температура-зависимый параметр
- Означает переменное значение по приращению тока.
«Методы расчета»
- rd = ∆В/∆И в рабочем σηезии
- RD = НВТ/ИД для идеального диода.
- Графическая оценка наклона
- Малосигнональная АК измерение
«13. Характеристики Шоткиевых диодов»
Особые соображения для Шотткиевских диодов:
Характеристические параметры:
- Низкая отрицательная разряда тока при полной точке нахождения 0,2-0,4В
- Быстрее разгоранившееся время
- Более высокая обратная выгрузка прямого тока.
- Температурная чувствительность
Составление энергии:
- Низкие потери передачи электрического тока
- Уменьшение потерь при выключении
- Температурные коэффициенты снижения производительности
- Термический менеджмент需要
Быстрое Referенс
Ключевые уравнения
Электропотребление: P = Вт × Иф
Показатель температурыjunction Tj = Ta + P × θja
Норма рабочего напряжения: ВРрабочее = ВРмаксимальное × 0,7
Текущий заряд: ИФWorking = ИФmax × разогревающий коэффициент
Оdishные значения
Силиконовое токовыводящееся напряжение Вф: 0,6–0,7 В
Шотки Вf: 0,2–0,4В
Предел volt-амперной способности germanия: 0,2–0,3В
Состояние разрыва: 1,8-3,3В
Проектные Recommendations
- Используйте безопасные мargins в заданных значениях
- С учетом temperaturaffekов
- «Верифицировать требования к PIV»
- Проверьте потери энергии
- Наблюдать за тёплостью при соединении
- УчитыватьTransient.