Transistorrekenmachine
Transistorbedrijf
Basisbeginselen
Bipolare Kruisovergangtransistors BJTs zijn drie-terminele halfelektrische componenten die worden gebruikt voor versterking en schakeling. De operatie hangt af van de interactie tussen twee nauw bij elkaars liggende PN-grensoverschakingspunten, die door basisstroom worden beheerst.
- NPN- en PNP-configuraties
- Actief, overstroomd en knalregios
- Hoogvoedingsfactor β of hFE
- Basisdriftspuntspanning VbS
2. Basisstroomberekeningen
Hoe de basisstroom en waarde van resistoren te berekenen:
Paragraaf | Formule | Voorbeeld |
---|---|---|
Basisstroom | IB = IC / β | 100 mA / 100 = 1 mA |
Basiswrijver | Reaktiebestand RB = VBB - VBE/IB | 5V - 0,7V/1mA = 4,3kΩ |
DC Biassing
Het juiste AC-biased is essentieel voor lineaire uitvoering:
IC = β × IBVCE = VCC - IC × RCVBE ≈ 0,7V SiliciumVerzorging P = Verdeling van elektrische stroom VCE x Gebruikte uitstootcapaciteit IC
Kleine Signaalanalyse
Kleine signaalparameters bepalen de AC-performantie:
- Hefactor hfe
- Inputweerstand hie
- Uitvoerende weerstand hoe
- Feedschakelverhouding hre
5. Schakeloperatie
Sleutelparameters voor schakeltoepassingen:
- Aansturingstijd: t+tr + td
- Afgesteldijd: tf + ts
- Opslagtijdseffecten
- Snelheidskapselgebruik
6. Verzendingstoepassing
Krachtberekening voor verschillende bedrijfsmodellen:
Modus | Formule | Een voorbeeld |
---|---|---|
Actieve regio | P = VCE × IC | 5V × 100mA = 0,5W |
Verzetting | P = VCEsat × IC | 0,2V × 100mA = 0,02W |
7. Darlington berekeningen
Analyseren van Darlington-paarconfiguraties:
- Totale gain = β1 × β2
- Invoerstroom vereisten
- Spanningsdaling overwegingen
- Temporeluurseffecten
8. Temperatuurinvloeden
Beschouwingen over thermische overwegingen:
- Kerntemperaturenbeperkingen
- Thermische weerstand
- Macht der afstelling
- Koelingsvermogen eisen
9. Ontwerpgids
Veilige praktijken voor transistorcircuitontwerp:
- Gebruiklijke veredelende technieken
- Thermische beheer
- Geluidsomstandigheden
- Lay-outleidings
10. Q-punt berekeningen
Bevestiging van de werking van het operatiemodel
parameter | Formule | Overwegingen |
---|---|---|
Verzamelaarstroom | IC = VCC - VCE/RC | Temperatuurstabiliteit |
Basisstroom | IB = IC / β | Verschil variatie |
Elektronisch Transistorswitch
Verstaan van de markeringencodes voor SMD-transistors:
KodeType | Vormaat | Voorbeeld |
---|---|---|
Drie-cijfercode | XYZ = Apparaattype | 2SC = NPN-transistor |
Korte code | XX = Fabrikantencode | BC = Philips/NXP |
12. Transistor-Amplituurschappingsontwerp
Ampelfactorwinst en circuitberekeningkeningen:
Parameter | Formule | Aantekeningen |
---|---|---|
Verwisselingssterkte | Aanvankelijke spanning = -Resistentieloopcapaciteit / re | Gemene emitter |
Verloopfactor | Aanwezigheid Ai = Weerstand β | Klein-signaaltransistor |
Power Gain | Aanslagspanning Ap = Aanslagspanning Av x Aanslaginductie Ai | Totaalgrootte |
SMD Transistor Codering
Verstaan de code-merkingen voor SMD-transistors:
Systeemtype | Standaardopmaak | Voorbeeld |
---|---|---|
Drie-cijfercode | XYZ = Apparaattype | 2SC = NPN-transistor |
Korte code | xx = Fabrikantcode | BC = Philips/NXP |
Rapportageschets
Typekeuze
BESCHIKKINGSPOORT VBE: 0,6-0,7V
VCEsat: 0,2-0,3V
hFE: 50-300
ICmax: 0,1-10 A
Bedrijfsgebieden
Knoopwaarde: IB ≈ 0, IC ≈ 0
Actief: VBE > 0,7V, VCE > VCEsat
Volledig uitgestelde toestand: VBE > 0,7V, VCE ongeveer gelijk aan VCEvast
Ontwerptrucs
- • Gebruik DC-biasstabilisatie
- • Berekening van de temperatuur effecten
- • Toerustingspowerdissipatie
- • Beoordeel frequentieantwoord
- • Bevestig gainspecifieke vereisten
- • Feststelling van de testswitchingsnelheid