トランジスタ カルキュレーター
“トランザイスターの機能を理解する”
基本原理
ビポラルジャンクショントランジスターBipolar Junction Transistor、BJTは三極半導体デバイスで、放出と切換を用いた増強と制御のために使用される。操作にはPN結合によって制御された2つの近接した接続部間の相互作用が関係する。
- NPNとPNP構成
- アクティブ、サaturazione、カットオフ地域
- 出力倍率ベータまたはhFE
- ベースエミッター tension Vbe
基板 current 計算
ベースカウントと抵抗値の計算方法
パラメータ | 式 | 例 |
---|---|---|
ベースカウント | IB = IC/β | 100mS/100 = 1mA |
ベースレジスタ | B = BB - B / I | 5V - 0.7V/1mA = 4.3kΩ |
DCバIAS
正しいDC電界設定は線形作動に不可欠です。
IC = β × IBVCE = VCC - IC × RCベースバンドはアッピアPROX0.7ビットです.シリコン電力P= VCE×IC
小規模信号分析
小信号パラメータが決定するAC性能
- _current gain hfe_
- 入力抵抗ハイ
- OUTPUT抵抗ハウ
- フィードバック比率ハフレ
スイッチング・オペレーション
Switchingアプリケーションのための重要なパラメーター
- 切断時までの時間:tr+tD
- 止まらない時間: tf + ts
- ストレージ時エフェクト
- 速力キャパシタの使用を効率化する
6. パワーや熱量損失
電力計算の異なる作動モードに関する
モード | 式 | 例子 |
---|---|---|
アクティブ部位 | P = VCE × IC | 5V×100mA=0.5W |
.satūshēn | P = VCEsat× IC | 0.2V×100mA=0.02W |
7. Darlington カルキュレーション
ダールティングパア configurationの分析
- 総倍増係数 = β1 × β2
- 入力CURRENTレquirement
- ボルトの落下を考慮すること
- 温度影響
温度効果
熱学的考慮
- 接続熱出力制限
- 熱伝導抵抗
- 電力ダウンgrade
- 熱交換必要性
9. デザインガイドライン
トランジスタ回路設計における最善の実践
- 正確なバイアス技術
- 熱交換管理
- White noise の考慮
- バッテリーの設計
Q点計算
安定性の運用点を決定する方法
パラメータ | 式 | 考慮事項 |
---|---|---|
集集電流 | IC = VCC - VCE/RC | 温度安定性 |
ベースカウント | IB = IC/β | バीटアクセルレーション |
セラミックダイオードスイッチ
SMDトランスistorのマークシグナルコードを理解すること
コードタイプ | フォーマット | |
---|---|---|
3 桁のコード | XYZの型号 | 2SC = 2回側型Nパイロトランジスタ |
2桁コード | XX = MANUFACTURER CODE | BC = フィリップス/ニックス |
12. トランジスタアンプ設計
アンプライヤーグエインと回路計算
パラメータ | 式 | ノートス |
---|---|---|
電圧係数 | V=−R×C/レ | 共役放出転送器コモンエミッター |
CURRENT Gain | A・I=β | 小信号 |
信号出力比 | アパスAp=アナログスイッチング周波数Av×静止電流Ai | 全体的な電圧比 |
13. SMDトランジスタコード
understanding SMDトランザイスト マークコード
コードタイプ | フォーマット | 例子 |
---|---|---|
3桁のコード | XYZ = デバイスタイプ | 2SC = NPNトランザイスタ |
2文字コード | 製造元コード=製造元コード | BC=フィリップス/ニックス |
VBEon: 0.6~0.7ビット
VCEsat:0.2-0.3V
hFE: 50〜300
ICmax:0.1~10A
運用範囲
カットオフ: イブApproximately≈0、アイシイーゼル・スイッチの出力CURRENTApproximately≈0
エッテクトブレーカのアクティブステートは、ベイ Voltageビが0.7V以上であり、シート Currentセスは最大値を超えていない。
デザインツール
- • DCバIASスタビライゼーション使用する
- • 温度の影響を考慮する
- • 監視出力熱量の発散
- • チェック周波数応答
- • 制御ギアの必要性を検証する
- • テストスイッチングスピード