トランジスタ カルキュレーター

“トランザイスターの機能を理解する”

基本原理

ビポラルジャンクショントランジスターBipolar Junction Transistor、BJTは三極半導体デバイスで、放出と切換を用いた増強と制御のために使用される。操作にはPN結合によって制御された2つの近接した接続部間の相互作用が関係する。

  • NPNとPNP構成
  • アクティブ、サaturazione、カットオフ地域
  • 出力倍率ベータまたはhFE
  • ベースエミッター tension Vbe

基板 current 計算

ベースカウントと抵抗値の計算方法

パラメータ
ベースカウントIB = IC/β100mS/100 = 1mA
ベースレジスタB = BB - B / I5V - 0.7V/1mA = 4.3kΩ

DCバIAS

正しいDC電界設定は線形作動に不可欠です。

IC = β × IB
VCE = VCC - IC × RC
ベースバンドはアッピアPROX0.7ビットです.シリコン
電力P= VCE×IC

小規模信号分析

小信号パラメータが決定するAC性能

  • _current gain hfe_
  • 入力抵抗ハイ
  • OUTPUT抵抗ハウ
  • フィードバック比率ハフレ

スイッチング・オペレーション

Switchingアプリケーションのための重要なパラメーター

  • 切断時までの時間:tr+tD
  • 止まらない時間: tf + ts
  • ストレージ時エフェクト
  • 速力キャパシタの使用を効率化する

6. パワーや熱量損失

電力計算の異なる作動モードに関する

モード例子
アクティブ部位P = VCE × IC5V×100mA=0.5W
.satūshēnP = VCEsat× IC0.2V×100mA=0.02W

7. Darlington カルキュレーション

ダールティングパア configurationの分析

  • 総倍増係数 = β1 × β2
  • 入力CURRENTレquirement
  • ボルトの落下を考慮すること
  • 温度影響

温度効果

熱学的考慮

  • 接続熱出力制限
  • 熱伝導抵抗
  • 電力ダウンgrade
  • 熱交換必要性

9. デザインガイドライン

トランジスタ回路設計における最善の実践

  • 正確なバイアス技術
  • 熱交換管理
  • White noise の考慮
  • バッテリーの設計

Q点計算

安定性の運用点を決定する方法

パラメータ考慮事項
集集電流IC = VCC - VCE/RC温度安定性
ベースカウントIB = IC/βバीटアクセルレーション

セラミックダイオードスイッチ

SMDトランスistorのマークシグナルコードを理解すること

コードタイプフォーマット
3 桁のコードXYZの型号2SC = 2回側型Nパイロトランジスタ
2桁コードXX = MANUFACTURER CODEBC = フィリップス/ニックス

12. トランジスタアンプ設計

アンプライヤーグエインと回路計算

パラメータノートス
電圧係数V=−R×C/レ共役放出転送器コモンエミッター
CURRENT GainA・I=β小信号
信号出力比アパスAp=アナログスイッチング周波数Av×静止電流Ai全体的な電圧比

13. SMDトランジスタコード

understanding SMDトランザイスト マークコード

コードタイプフォーマット例子
3桁のコードXYZ = デバイスタイプ2SC = NPNトランザイスタ
2文字コード製造元コード=製造元コードBC=フィリップス/ニックス

VBEon: 0.6~0.7ビット
VCEsat:0.2-0.3V
hFE: 50〜300
ICmax:0.1~10A

運用範囲

カットオフ: イブApproximately≈0、アイシイーゼル・スイッチの出力CURRENTApproximately≈0
エッテクトブレーカのアクティブステートは、ベイ Voltageビが0.7V以上であり、シート Currentセスは最大値を超えていない。

デザインツール

  • DCバIASスタビライゼーション使用する
  • 温度の影響を考慮する
  • 監視出力熱量の発散
  • チェック周波数応答
  • 制御ギアの必要性を検証する
  • テストスイッチングスピード