Diode カルキュラー | 電子設計ツール

1. 前ward特性

<< Diオードの前方特性は、電流を導通する際のその挙動を決定します。前方電圧と電流の関係は、ショックリーエム・ダイオード方程式によって発散表現されるもので、 I = Ise^Vd/nVt- 1 です。 >>

Is: 反応性放出電流
Vd: フォワードビットドロップ
α: 実体性係数1〜2
Tスルスル温熱電位±2.8ａｍＶ　室温で約２６ｍＶ

普通の計算

電荷_diodeの頻度使用を必要とする計算方法

パラメータ	式	”例えば”
電流が放出される	Vスルージョンは、I = Vs - Vf/R	5V給電、0.7V落下、100Ω=43mA
ダイオード抵抗	ΔV/ΔIディオードの電圧変化率、ボストング分数	安定抵抗の動作点における動的抵抗
パワードISSIAPACI	P=Vf×If	0.7V×1A＝0.7W

3. Powapu Dissipation

power dissipation in a diode は、デバイスの信頼性と熱管理必要性に影響する重要なパラメーターです。放出される電力は次の式で計算されます。

V=IF×Vf

はたらき能量ワット

Vf：前方電流打ち消し電圧ボリューム、ビ

IF：前方電流 A

温度係数

“温度は、正偏電圧と反対流currentに大きな影響を与え、両方とも温度関係性には影響する”。

温度上昇にともなって前方電位は減少する一般的には-2μV/°C
10°C単位で、電流は逆向きに2倍になる
結合体温度はデバイスの信頼性に影響を与える
熱伝導抵抗は熱量の増加を決定する

«スイッチング特性»

高周波用途におけるスイッチング特性は重要なものになる。

トランジステーション再回復時間TRR
FORワードリコVERY タイムFRT
結合電容量Cj
保存電荷Qs

アプリケーション考慮

デイオードの設計時に、さまざまな要素に注意が必要です。

peak inverse voltage PIV 対称最大電圧
平均値と最大値の流れ量
運用温度範囲
パッケージ熱伝導抵抗
-frequency response requirement
電圧下降要点

設計ガイドライン

どらdiを信頼できる回路設計について、以下のガイドラインを参考にしてください。

電圧適当性低下通常は 70% - 80%を含める
温度係数に基づいて電流を減らす
正しく冷却機器を装着する
モニター出熱温度
反発回収の検証はんぱつかいたちのきっしょう

ゼナー・ダイオードの応用

“ゼナー_diodeの計算と応用を理解する”

パラメータ	式	ノートス
ディオドーの流れ	Iはインペデンスで、Zは抵抗値の略、 Vは電圧の略であり、sは秒秒数を表します。	ビOLTエジェクター設計

ダイオード電圧計算

どうしてダイオードに電圧を掛けることについて

_forward_voltage_drop_

硫黄二次体：通常1.2-1.8V
スクトッキー二次式伝導odi: 0.2～0.4V
LEDの電圧落とし: 1.8-3.3V色依存
温度係数：-2μV/度

逆電圧

最大の電位反転容量
信頼性向けに設計上の制限
不安定電圧予防
熱度効果

10. ディオード Current アナリシス

ダイオードにおける電流の理解

-forward current-

最大値の承認事項マックスimum rating consideration
温度係数下降
負荷サイクル効果
冷却材の用意要件

“ラップアウト”

漏電流特性
温度依存性
バッテリー電池
信頼性の影響

11. 平等係数の計算IDEALITY FACTORの計算

どiodの天体性係数をグラフと測定値から計算する方法について

メソッド	式	例外的な値
からI-V曲線	n = 質量数e/k熱能 × 電圧変化/対数電流変化	1.0-2.0
２点法	n=V2-V1／VT×NaturalLogI2/I1	セリコン：~1.0

動作抵抗

定義と測定

<<小さなシグナル抵抗値の操作点>>
I-V曲線の出力値運用点
温度依存したパラメータ
変化する電流の前向き

計算方法

出力点でのΔVとΔIの比率、r=
rD = nVt/Ic for ideal diode
グラフ表現法の傾斜測定
小さなシグナルACの測定

スホットキ・ダイオッドの特性

スペシャルシーションズ・シュットキー・ダイオッド：

KEYパラメーター

下限正偏圧差0.2-0.4V
高速スイッチング速度
より高い逆流特性
温度依存性

下部低損失
低減波動損失
温度係数
熱交換管理の必要性

ダイオードカルキュレーター

ドイードの特性を理解する”