Alat Penghitung MOSFET

1. Karakteristik Dasar

Transistor Semiconductif Oksida Metal MOSFET adalah perangkat berbasis tegangan yang dikontrol luas digunakan dalam aplikasi pengaturan dan amplifikasi. Operasinya berdasarkan mengendalikan konduktivitas saluran melalui tegangan kawat.

Jenis N-channel dan Jenis P-channel
Mode Pembaharuan dan Pengurangan
Tiga daerah operasional yang ditawarkan: penghalang, linear, penuh
Pertimbangan efek tubuh

Desain Pengemudi Tabung Gat

Bagaimana menghitung resistansi pengatur pintu dan kebutuhan pengemudi:

parameter	Fungsi	Contoh
Pembatas Pintu	Rg = Vdr/Ig_puncak	100kΩ untuk pengaliran daya 15V
Arus Kepada Satu	IG = Qg × frekuensi swing kebisingan	100mA pada frekuensi 100kHz

Kunci-Kunci Parametri

Parameter penting yang memungkinkan pemilihan dan operasi MOSFET:

VDS maksimum: Voltase rongga emis drain hingga sumber voltase source
IDMAX: Arus drain maksimum
Resistansi RDSpada pada saat on
Voltase penguatan VGS th
Qg: Muatan pintu total

Karakteristik Pemutus

Pemahaman perilaku pengaturan switch dan ketepatan waktu:

Waktu pengaktifan tdon
Waktu naik τt
Waktu pendinginan tpoff
Waktu jatuh tf

Perhitungan Kehilangan Daya Pada Pengaturan Mengatur

Bagaimana untuk menghitung dan mengoptimalkan kehilangan daya saat berpindah:

Naik Suhu	Perubahan suhu ΔT = Pengaruh total Ptotal × Panas yang disimpan oleh komponen selama interval a - j Rth Ti = Tamaian + Perubahan Suhu	Perhatikan jalan pengaruh panas.
Persyaratan Penyejahan Panas	Kekurangan Teraserial pada suhu a antara titik maksimum suhu jangka panjang dan suhu lingkungan adalah: Pilih pendingin dengan Rth yang lebih rendah.	Termasuk bahan interfase termal.

Waktu Mati Penghitungan

Menghitung waktu mati minimal untuk operasi aman:

Parameter	Formula	Nilai Kebanyakan
Waktu Mati Minimal	tidakada minimum td sama dengan waktu pemasangan maksimum tf plus waktu penyesuaian rata-rata tr	Waktu pulsa 100-500ns
Marginal Keamanan	tdsafe = 2 × tdmin	Kekurangan waktu 200 hingga 1.000 nan-detik

Perhitungan Tegangan Gantung

Memahami perbedaan tegangan potensial suatu titik

Parameter	Fomula	Catatan
Threshold Vantgaran Vgs	Voltage Garis Girih VGS pada suhu tertentu VGSth,25°C dapat diperoleh dengan menambahkan perbedaan suhu TC dan perubahan suhu sebesar ΔT.	Koefisien suhu
Pengaruh Suhu	TC sekitar -2 hingga -4 mV per °C	Sinyal Negatif

Perhitungan Transkonduktansi

Pengertian karakteristik kemampuan gain MOSFET:

Formula Dasar:
- gains transistor = perubahan ID terhadap perubahan VGS
- Gedankan rata ≈ 2Dari Daya V / VGS - VGSmin
- Bahan kepadatan transistore gm bergantung pada titik operasional
Titik Berjalan:
- Region linear: nilai gm bervariasi dengan VDS
- Daerah kelebihan: Stabilitas rasio transistor lebih stabil
- Ukuran maksimum pemampat sinyal di saat ID maksimum dibagi dua

9. Penghitungan Arus Gelombang Pintas

Menganalisis kebutuhan muatan pintu:

Parameter	Formula	Aplikasi
Waktu Pemutus On	Ton = Kegelapan / Hambatan Gelombang	Kecepatan Switching
Energi Bantuan Pintu	Egg = Quotasi gigi x Volatge Gesampel	Kerugian pembawa

Analisis Kehilangan Konduksi

Memahami dan menghitung kehilangan konduksi:

Jenis Kerugian	Foma	Pertimbangan
Kehilangan DC	Daya P sama dengan kuadrat dari panas rataru ID berkat hambatan pada peringatan RDSon.	Tergantung pada suhu
Kerugian AC	Potensi P sama dengan Tekanan Arus IRMS persegi ² kali Ductance Satu Arus RDSon.	Frekuensi tergantung

Pedoman Desain

Praktik terbaik untuk desain sirkuit MOSFET:

Pilih nilai VDS dengan margin 20%
Pertimbangkan pengelolaan panas pada awalnya
Gunakan sirkuit pengemudi pintu yang tepat
Terapkan efek parasiatik
Melakukan fitur perlindungan
Optimalkan Desain PCB

Pemahaman Operasi MOSFET