मोजिसीट MOSFET कैलकुलेटर | गेट ड्राइव & शक्ति हानि कैलकुलेटर

१. साधारण विशेषताएं

मेटल-ऑक्साइड-सेमीकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांसिस्टर मॉसएफीट वोल्टेज नियंत्रित उपकरण हैं जिन्हें स्विचिंग और अधिवृत्तीकरण अनुप्रयोगों में अधिक व्यापक रूप से उपयोग किया जाता है। उनकी कार्रवाई गेट वोल्टेज पर आधारित होकर चैनल प्रतिरोधकता को नियंत्रित करने पर आधारित है।

न-वाहक और पी-वाहक प्रकार
परिष्कृत और विलम्बित प्रकार
तीन कार्य करने वाले क्षेत्र: बंद, लाइनर, सेटेलेशन
शरीर प्रभाव संबंध

गेट ड्राइव निर्माण विधि

कैसे गेट रिसिस्टर और ड्राइव की मांग कैलकुल करना है:

विशेषता	रूपरेखा	उदाहरण
गेट रिसिस्टर	रीज़ी Rg = वार्टेज ड्रिप सीमा Vdr/इक्सेसी इग्नाइट के शिकंजे का आंकड़ा Ig_peak	१०Ω के लिए १२वोल्ट प्रेरित
गेट कार्ड	इग = क्वग × फसव	100मीए से 100kHz

३। मुख्य विशेषताएं

मोशीट सेलेक्शन और ऑपरेशन के लिए आवश्यक परामर्शात्मक विशेषताएं:

वीडीएस मаксимम: विद्युत परत-उर्जा प्रवाह की अधिकतम वोल्टेज
भार सबसे अधिक ग्राहक वर्धक
रीडीएस ऑन-स्टेट रिसिस्टेंस
गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज वीजीएसथि
कुल गेट चार्ज

४. टर्मिनल विशेषताएं

समीक्षा बदलाव और समय नियंत्रण का समझना:

चालू होने की देरी समय तीडीओन
विकिरण समय ट्र
वापस आने का समय निलंबन टीडीडब्ल्यूऑफ़
पल्सर समय टीएफ

5. ट्रांसिशन लॉस कैलकुलेशन

कैसे मापदंड और स्विचिंग खोनों का गणना करें और न्यूनतम बनाएं

तापमान वृद्धि	प्राप्त तापमान व्यथा = प्रतिकूल ऊर्जा कुल मिलाकर ज-तापमान के साथ थermal रेसिस्टिव स्थिति तज = टीए + डेल्टीट	तापमान संचारी पथ पर विचार करें
तापमान निर्धारण	र्थ ह्यू ही-एल = टीजी मैक्स - टीए एल - पटोटल / रथ जी सी - एल - रथ सी के-एच चुनें गैस को निम्न र्थ	प्राकृतिक उपचार सामग्री शामिल करें

मृतक समय गणना

सुरक्षित कार्यान्वयन के लिए न्यूनतम मृत समय निर्धारण करने के लिए:

गुणांक	रूपरेखा	आम तौर पर मान्य मूल्य
निम्न से कोई भी समय मृत्यु	tdmिन = त्यuf + tr	सौवेंस से पैंचसौ नैनोसेकंड
सुरक्षा पैनल	त्रुटि डेटा td को सुरक्षित करने वाली दिशानिर्देश safes को 2 मार्क हिस्से के त्रुटि मिनिमम डेटा tdmin के रूप में गणना करता है।	दो से दस हजार गिगानोटिक्स

प्रविष्टि वोल्टेज का अनुमानन

प्रतिबिंब तार्कीय प्रवेगता स्तर चेतना:

गुणाकार	रूपक	अनोटेशन
वीजीएसथॉर्मोस्टाल	वीजीएस थ्रेशोल्ड VGSth = वीजीएस थ्रेशोल्ड VGSth, 25 डिग्री सेल्सियस + टीसी × Δट	तापमान का प्राथमिकता
तापमान प्रभाव	टीसी लगभग -२ से -४ मिलीवोल्ट प्रति डिग्री सेल्सियस है।	नेगेटिव कोचिएंट

८। ट्रांसकंडक्टेसन्स कैलकुलेशन

वोल्टेज-आउट पुतली के मॉसफेट गेन कार्यक्षमता:

वास्तविक नियम:
- मैन्युफैक्चरिंग मास्टर गुण gm का योग है = वीजीएस पर ID की सीमाना
- गम लगभग २आईडी/वीजीएस - वीजीएसथॉमस
- गेम पर निर्वहन पॉइंट से निर्भर करता है
अपर्याप्त प्रवाह का स्थिरीकरण:
- लाइनर क्षेत्र: वीडीएस पर निर्भर GM विचलित होता है
- संचालन क्षेत्र: गीएम अधिक स्थिर हैं
- सामान्य एमजीएम का मаксिमम वोल्टेज आयाम आईडी मैक्स / 2

9. गेट चार्ज कैलकुलेशन

वायु परिचालन के लिए गेट चार्ज आवश्यकताओं का विश्लेषण करना:

संलग्न	सूत्र	आनुवांशिक
पुनरुत्थान समय	तोन = क्वेस्टेड कूलमैक्स टोकरा / इग्नाइटेड कूलमैक्स टोकरा	परिवर्तन की गति
जेट इंडर्जी	इग = क्वी गी टाइम्स वीजीएस	ड्राइवर खारा

१०. परिवहन खोने वाला पत्रक analysis

संचारित खोने का समझना और गणना:

हानि प्रकार	रूपरेखा	विचारों को
डीसी खंड वितरण	पावर पी = इग्नाइटेड डायोड का प्रवाह² × रेडियो शनर डायनामिक लोडिंग स्टेज ऑन	तापमान निर्भर
अक्षम स्थिरता नुकसान	पावर पी = इंडोर रिफ्लेक्स माइंड स्क्वेर्ड आईआरएमएस२ का गुणनफल और डिस्चार्ज रेसिस्टेंस डीएसओएन	फ्रीक्वेंसी पर निर्भर

११. डिज़ाइन निर्देशिका

मोशीट MOSFET सर्किट डिजाइन में सर्वश्रेष्ठ अभ्यास:

वीडीएस रेटिंग का चयन करें जिसके साथ २०% म margins हों।
तापव्यवस्था को पहले से ही विचार करें
सही जेट ड्राइव सर्किट का उपयोग करें
विस्तार प्रतिक्रियाओं का विचार करें
सुरक्षा विशेषताओं को संचालन करें
पीसीबी लेआउट को ऑप्टिमाइज़ करें

एमओएसएफईटी कैलकुलेटर

मॉसेट कार्य प्रक्रिया को समझना