Calculateur de Transistors

« 1. Principes Bases »

Les transistores à pointe de jonction bipolaire BJTs sont des dispositifs semi-conducteurs à trois terminals utilisés pour lamplification et le commutation. Lopération dépend de linteraction entre deux ponts PN étroitement espacés, contrôlés par courant base.

Configurations NPN et PNP
Regimes actifs, régions de saturation et régions de coupe
Gain de courant β ou hFE
Voltage base-émetteur VBEm

Calculs de Courant Base

Comment calculer la courant de base et les valeurs de résistances :

Paramètre	Formule	Exemple
Courant de base	I/B = I/C/β	100mA/100 = 1mA
Resistance Fondamentale	RB = VBB - VBE/IB	5V - 0,7V / 1mA = 4,3kΩ

3. Biaseur DC

Un bon équilibrement DC est essentiel pour une opération linéaire.

I/C = β × I/B
VCE = VCC - IC × RC
VB É ≈ 0,7V Silicium
Puissance = VCE × Ic

Analyse de Signaux Faibles

Paramètres de petit signal déterminent le rendement AC:

Gain de flux actuel hfe
Résistance dentrée hié
Résistance doutput hôte
Ratio de retour en boucle hFE

Opération de Swichement

Paramètres clés pour les applications de déclenchement

Durée de tour-on : tr + td
Temps de coupure : tf + ts
Effets de temps de stockage
Utilisation dun condensateur pour accélérer le rendu

Dissipation Electrique

Calculs de puissance pour différents modèles dopération :

Modèle	Formule	Exemple
Zone Active	La puissance P est égale au produit de la tension de coupure électrique VCE et de la décharge maximale continue IC.	5V × 100mA = 0,5W
Saturité	P = VCEsat × IC	0,2V × 100mA = 0,02W

7. Calculs de Darlington

Analyser les configurations de paires Darlington :

Gain total = β1 × β2
Requêtes de courant dalimentation à lentrée
Considérations de perte de tension
Effets de la température

8. Effets de Température

Comprendre les considérations thermiques :

Limite de température du pont de jonction
Résistance thermique
Dégradation de puissance
Requis de refroidissement thermique

« 9. Directives de conception »

Meilleures pratiques pour le conception de circuits avec des transistors :

«Técniques de biais propre»
Gestion thermique
Considérations sur le bruit
Conseils de layout

10. Calculs du Point de Quelques Tensies

Détermination de la stabilité du point dexploitation :

Paramètres	Formule	Considérations
Courant collecteur	I.C. = VCC - VCE / R.C.	Stabilité thermique
Courant de base	IB = IC/β	Variation de la valeur beta

Relais de transisteur

Comprendre les codes de marquage SMD des transistors :

Type de Code	Format	Exemple
Code à 3 chiffres	XYZ = Type de dispositif	Transistor NPN 2SC
Code de deux lettres	XX = Code détablisseur	BC = Philips/NXP

Conception dun Amplificateur Transistor

Gain damplification et calculs de circuits :

Paramètre	Formule	Remarques
Gain de tension	Av = -Rc/r	Émetteur commun
Gain de courant	Aï = β	Signaux faibles
Gain sur la puissance	A = vitesse danalyse,	Gain total

13. Code Transistor SMD

Compréhension des codes de marquage SMD des transistors

Type de Code	Format	Exemple
Code de 3 chiffres	XYZ = Type de dispositif	2SC = Transisteur à effet de volume NPN
Code de deux lettres	XX = Code fabricant	BC = Philips/NXP

Compréhension de lopération du transistor