MOSFETrekker | Draybestroom & Stroomverliesrekker

N-kantre en P-kantre tipes
Verbeterings- en depletiesmodus
Drie operasionele gebiede: sluitstoot, linier, satigheid
Ligging van kromme effek

2. Verkenning van Driftdreineigingsontwerp

Hoe om die gate-rensator en verlaatverwysings te bereken:

Verskynsel	Formule	Beeld
Toetsresistor	Rg = Vdr/Ig_peak	10Ω vir 12V-kragstel
Porseinaalstroom	Ig = Qg × fs	Honderd millemikroampere op honderdtot honderdkilohertz

3. Siggbare Veranderliede

Kritiese parameters vir die seleksie en optiek van n MOSFET:

Maximum drain-sous-voltstroomspanning
IDmax: Maximum drainstroom
RSDop: Opstroomverwezigbaarheid
VGS-thres: Drifvlakbeheeringsvoltage voor die geselskets
Totaalgatecharge.

Swoordstroom-eigenskappe

Verstandigings van swip-stelgedrag en tye:

Verwyteringstermyn tyd tdop
Verhoogtyd tr
Ongedruksametydtyd tduit
Valtyd tf

5. Snytverloplasingsberekening

Hoe om swaartstroomverlies te bereken en te minimaliseer

Temperatuurverhooging	ΔT = Ptotal × Rthj-a Tsj = Ta + ΔT word omgeset na die Afrikaanse terme as volg:	Soek na temperatuurbestendigheidspad
Verhitting Verwyndings	RtermslikR-tot-R = Tmax-Ta/Pteeltal - RtermslikJ- tot-R - RtermslikC-tot-H Kies n skuineblok met lae Rθ.	Inklusief warmteverbindingsstof

6. Verwyderingstydrekkening

Verkenning van die minimale dood tyd vir veilige gebruik:

Parameter	Formule	Sewwe Verdagse Waardes
Minimum Sterftyd	Minimum tydsverloop td word gelykelijk aan die tydsverloop tot standkoms tf plus die tydskynsel tr.	100 - 500 ns
Sekuriteits Margyn	tdsiensig = 2 × tdminimum	200 - 1 000 ns

7. Gesepte Spanningsvlak berekening

Verstaan van verskille in stroomverskyningsooreenstelling

Parameter	Formule	“Noties”
Threseptor van Grootstroomstroom VGS		Temperatuurkonsentrasie
Temperatuurstelsel	TK ≈ -2 tot -4 mV/°C	Negatiewe koëffiesienst

8. Verwyderingskalisasieberekening

Verstaan die gewenkbare gekennings van n MOSFET:

Basiese Formule:
- Geometrieke spesifikasie gm is ∂ID/∂VGS
- Gemeenschappelijke Weerstand gm ≈ 2ID/VGS - VGShoogst
- Gemeenskiliteit afhanklik van operasiepunt
Operasionele Punt:
- Linseerende gebied: gm verander met Vds.
- Verwyderingsgebied: gm meer stabiel
- Maximale verhouding van die verliesverminderende faktor by die maksimum stroom getrokke soos half hierdie stroom

9. Belgingskanderrekens

Ondersoek van gate-laderequirente

Parameteer	Formule	Toepassing
Toetstygtyd	Ton = Verwytering per Gigasieklik Stroom	Verwyderingsnelheid
Veur energie	Driftspanning = Oppervlakspuntspanning x Vierfasegespanning	Bestuurderverlies

10. Verwyderingsverlies Analise

Verstaan en bereken verhalingverliezinge:

Verliesagtipe	Formule	Overwegings
Stromlose DC	Drak P = Idskeidu × Rdson	Temperatuurafhanklik
AK-Verliese	P = IRMS² × RDSop	Frekwerksafhanklik

11. Ontwerp-Gidselinge

Meestgeskikte praktise vir MOSFET-sirkuitontwerp:

Selkies kies VDS-rating met n 20% margine
Aandien temperatuurbestuur vroeg
Gebruik gesonde gate-stroomkircuit
Toegee met parasitiese effekte
Veralys die beskermingsfunksies
Verwyder ongemaklike PCB-ontwerp

MOSFET Kalculator

Verstaan van die werking van MOSFET